分子束外延薄膜用超高純臭氧系統介紹
主要配件
配備３套低溫蒸發源（１００～１１００℃），控溫精度±０．１℃，坩堝容量１０ｃｃ 配套２套中溫蒸發源（３００～１５００℃），控溫精度±０．１℃，坩堝容量１０ｃｃ 配備１５ＫｅＶ高能電子衍射系統和圖像采集ＣＣＤ 配備射頻等離子源（４３３ＭＨｚ） 配備電子束蒸發源 配備液化型超高純臭氧系統
主要參數
適用１英寸及以下襯底； 襯底加熱可達９５０℃；
儀器介紹
| 儀器名稱（中文／英文） | 分子束外延薄膜制備系統（ＭＢＥ） Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ |
| 規格型號 | 定制 |
| 儀器功能介紹 | 可外延生長Ｐｔ， Ａｕ， Ｐｄ等金屬單晶薄膜，Ｇａ２Ｏ３， ＩＴＯ， ＴｉＯ２等氧化物半導體薄膜以及ＧａＮ， ＩｎＮ等半導體薄膜，用于二維材料、量子器件、超導、半導體、納米器件、光學及其他材料薄膜沉積研發 |
| 性能指標 | １、適用１英寸及以下襯底； ２、襯底加熱可達９５０℃； ３、配備３套低溫蒸發源（１００～１１００℃），控溫精度±０．１℃，坩堝容量１０ｃｃ ４、配套２套中溫蒸發源（３００～１５００℃），控溫精度±０．１℃，坩堝容量１０ｃｃ ５、腔體本底真空優于５ｘ１０－１０ｍｂａｒ（完全烘烤后） |
| 樣品要求 | 樣片直徑應為１英寸以下的晶圓或不規則碎片； |
| 儀器說明 | １、配備１５ＫｅＶ高能電子衍射系統和圖像采集ＣＣＤ，能夠檢測薄膜生長，實現原子層級精準控制，電子束光斑大小＜７０μｍ，很大電子束束流３４０μＡ； ２、配備射頻等離子源（４３３ＭＨｚ），可實現氧、氮等離子體的產生； ３、配備電子束蒸發源：Ｍａｘ高壓是２ｋＶ，加熱絲燈絲電流Ｍａｘ４．５Ａ，束流穩定性＜０．０１Ａ／ｓ＝０．２層／ｍｉｎ； ４、配備液化型超高純臭氧系統，液化池出口臭氧濃度＞９９．５％，很大臭氧濃度１５％ |
